The FOD819 includes a gallium arsenide (GaAs) infrared emitting diode within a 4-pin dual inline plug-inencapsulation driving a silicon photo-darlington output with an integrated base emitter resistor RBE. It is suitable as a higher performance replacement for the popular FOD817 series when higher speed performance is required in isolated data signal transmission.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.