onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
MMBT5550LT1G NPN 140V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor

MMBT5550LT1G

NPN 140V 600mA High Voltage NPN Bipolar Transistor
Artikelnummer
MMBT5550LT1G
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Triode(BJT)
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SOT-23
Förpackning
taping
Antal paket
3000
Beskrivning
This high voltage NPN bipolar transistor is suitable for general switching applications. The device features a SOT-23 encapsulation and is suitable for low power surface mount applications.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 68848 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av MMBT5550LT1G
MMBT5550LT1G Elektroniska komponenter
MMBT5550LT1G Försäljning
MMBT5550LT1G Leverantör
MMBT5550LT1G Distributör
MMBT5550LT1G Datatabell
MMBT5550LT1G Foton
MMBT5550LT1G Pris
MMBT5550LT1G Erbjudande
MMBT5550LT1G Lägsta pris
MMBT5550LT1G Sök
MMBT5550LT1G Köp av
MMBT5550LT1G Chip