onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
NRVBS410LT3G 10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V

NRVBS410LT3G

10V 4A 350mV@8A Schottky diodePower rectifier, 4.0 A, 10 V
Artikelnummer
NRVBS410LT3G
Kategori
diode > Schottky diode
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SMC (DO-214AB)
Förpackning
taping
Antal paket
2500
Beskrivning
The device uses the principle of Schottky diode potential barrier and adopts large-area metal-silicon power diode. Advanced geometries employ oxide passivation and epitaxial structures with metal-covered contacts. Ideal for low voltage, high frequency rectification, or as a freewheeling and polarity protection diode in applications where compact size and weight are critical to the system. Typical applications are AC-DC and DC-DC, reverse battery protection and "OR" operation of multiple supply voltages, and other applications where performance and size are critical.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 99224 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av NRVBS410LT3G
NRVBS410LT3G Elektroniska komponenter
NRVBS410LT3G Försäljning
NRVBS410LT3G Leverantör
NRVBS410LT3G Distributör
NRVBS410LT3G Datatabell
NRVBS410LT3G Foton
NRVBS410LT3G Pris
NRVBS410LT3G Erbjudande
NRVBS410LT3G Lägsta pris
NRVBS410LT3G Sök
NRVBS410LT3G Köp av
NRVBS410LT3G Chip