onsemi (Ansemi)
Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
Se specifikationer för produktinformation.
NSVBC114EPDXV6T1G
1 NPN, 1 PNP - Pre-biased 100mA 50V Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
Artikelnummer
NSVBC114EPDXV6T1G
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Digital Transistor
Tillverkare/varumärke
onsemi (Ansemi)
Inkapsling
SOT-563
Förpackning
taping
Antal paket
4000
Beskrivning
This family of digital transistors is intended to replace a single device and its external resistor bias network. The bias resistor transistor (BRT) consists of a transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT integrates these components into one device, eliminating the need for these external components. Using BRT can reduce system cost and save board space.
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 77821 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
2 NPN-Pre-biased 100mA 50V Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
onsemi (Ansemi)
2 PNP-Prebiased 100mA 50V Dual PNP Bipolar Digital Transistors (BRTs)
onsemi (Ansemi)
100V 200mA 1.2V@100mA Ultra High Speed Switching Diodes - Tri Configuration in SC-88 encapsulation
onsemi (Ansemi)
250V 225mA 1.25V@200mA 250 V High Voltage Switching Diode, Dual, Series
onsemi (Ansemi)
Nyckelord av NSVBC114EPDXV6T1G
NSVBC114EPDXV6T1G Elektroniska komponenter
NSVBC114EPDXV6T1G Försäljning
NSVBC114EPDXV6T1G Leverantör
NSVBC114EPDXV6T1G Distributör
NSVBC114EPDXV6T1G Datatabell
NSVBC114EPDXV6T1G Foton
NSVBC114EPDXV6T1G Pris
NSVBC114EPDXV6T1G Erbjudande
NSVBC114EPDXV6T1G Lägsta pris
NSVBC114EPDXV6T1G Sök
NSVBC114EPDXV6T1G Köp av
NSVBC114EPDXV6T1G Chip