köpa Diodes Incorporated DMN2023UCB4-7 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Datablad

DMN2023UCB4-7

MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4

Artikelnummer

DMN2023UCB4-7

Tillverkare/varumärke

Diodes Incorporated

Serier

Automotive, AEC-Q101

Sektionsstatus

Active

Förpackning

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

4-XFBGA, WLBGA

Effekt - Max

1.45W

Leverantörsenhetspaket

X1-WLB1818-4

FET typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-funktioner

Standard

Dränera till spänningskälla (Vdss)

24V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

6A (Ta)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

Vgs(th) (Max) @ Id

1.3V @ 1mA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

37nC @ 4.5V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

3333pF @ 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 19762 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated

DMN2004DMK-7

MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26

Diodes Incorporated