GP2M007A080F
MOSFET N-CH 800V 7A TO220F
Artikelnummer
GP2M007A080F
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3 Full Pack
Leverantörsenhetspaket
TO-220F
Effektförlust (max)
50W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
800V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1410pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 38774 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av GP2M007A080F
GP2M007A080F Elektroniska komponenter
GP2M007A080F Försäljning
GP2M007A080F Leverantör
GP2M007A080F Distributör
GP2M007A080F Datatabell
GP2M007A080F Foton
GP2M007A080F Pris
GP2M007A080F Erbjudande
GP2M007A080F Lägsta pris
GP2M007A080F Sök
GP2M007A080F Köp av
GP2M007A080F Chip