AUIRF1010Z
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Artikelnummer
AUIRF1010Z
Tillverkare/varumärke
Serier
HEXFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-220-3
Leverantörsenhetspaket
TO-220AB
Effektförlust (max)
140W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
Vgs (max)
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30670 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av AUIRF1010Z
AUIRF1010Z Elektroniska komponenter
AUIRF1010Z Försäljning
AUIRF1010Z Leverantör
AUIRF1010Z Distributör
AUIRF1010Z Datatabell
AUIRF1010Z Foton
AUIRF1010Z Pris
AUIRF1010Z Erbjudande
AUIRF1010Z Lägsta pris
AUIRF1010Z Sök
AUIRF1010Z Köp av
AUIRF1010Z Chip