BSB044N08NN3GXUMA1
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Artikelnummer
BSB044N08NN3GXUMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
3-WDSON
Leverantörsenhetspaket
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Effektförlust (max)
2.2W (Ta), 78W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Ta), 90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 97µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
73nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5700pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25808 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSB044N08NN3GXUMA1
BSB044N08NN3GXUMA1 Elektroniska komponenter
BSB044N08NN3GXUMA1 Försäljning
BSB044N08NN3GXUMA1 Leverantör
BSB044N08NN3GXUMA1 Distributör
BSB044N08NN3GXUMA1 Datatabell
BSB044N08NN3GXUMA1 Foton
BSB044N08NN3GXUMA1 Pris
BSB044N08NN3GXUMA1 Erbjudande
BSB044N08NN3GXUMA1 Lägsta pris
BSB044N08NN3GXUMA1 Sök
BSB044N08NN3GXUMA1 Köp av
BSB044N08NN3GXUMA1 Chip