BSC011N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
Artikelnummer
BSC011N03LSATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
37A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.1 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 24537 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC011N03LSATMA1
BSC011N03LSATMA1 Elektroniska komponenter
BSC011N03LSATMA1 Försäljning
BSC011N03LSATMA1 Leverantör
BSC011N03LSATMA1 Distributör
BSC011N03LSATMA1 Datatabell
BSC011N03LSATMA1 Foton
BSC011N03LSATMA1 Pris
BSC011N03LSATMA1 Erbjudande
BSC011N03LSATMA1 Lägsta pris
BSC011N03LSATMA1 Sök
BSC011N03LSATMA1 Köp av
BSC011N03LSATMA1 Chip