BSC016N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
Artikelnummer
BSC016N03LSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
131nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10000pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29396 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC016N03LSGATMA1
BSC016N03LSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSC016N03LSGATMA1 Försäljning
BSC016N03LSGATMA1 Leverantör
BSC016N03LSGATMA1 Distributör
BSC016N03LSGATMA1 Datatabell
BSC016N03LSGATMA1 Foton
BSC016N03LSGATMA1 Pris
BSC016N03LSGATMA1 Erbjudande
BSC016N03LSGATMA1 Lägsta pris
BSC016N03LSGATMA1 Sök
BSC016N03LSGATMA1 Köp av
BSC016N03LSGATMA1 Chip