Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BSC042NE7NS3GATMA1

BSC042NE7NS3GATMA1

MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
Artikelnummer
BSC042NE7NS3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 91µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 37.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18557 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1 Elektroniska komponenter
BSC042NE7NS3GATMA1 Försäljning
BSC042NE7NS3GATMA1 Leverantör
BSC042NE7NS3GATMA1 Distributör
BSC042NE7NS3GATMA1 Datatabell
BSC042NE7NS3GATMA1 Foton
BSC042NE7NS3GATMA1 Pris
BSC042NE7NS3GATMA1 Erbjudande
BSC042NE7NS3GATMA1 Lägsta pris
BSC042NE7NS3GATMA1 Sök
BSC042NE7NS3GATMA1 Köp av
BSC042NE7NS3GATMA1 Chip