BSC0502NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 26A TDSON-8
Artikelnummer
BSC0502NSIATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.3 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33770 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC0502NSIATMA1
BSC0502NSIATMA1 Elektroniska komponenter
BSC0502NSIATMA1 Försäljning
BSC0502NSIATMA1 Leverantör
BSC0502NSIATMA1 Distributör
BSC0502NSIATMA1 Datatabell
BSC0502NSIATMA1 Foton
BSC0502NSIATMA1 Pris
BSC0502NSIATMA1 Erbjudande
BSC0502NSIATMA1 Lägsta pris
BSC0502NSIATMA1 Sök
BSC0502NSIATMA1 Köp av
BSC0502NSIATMA1 Chip