BSC079N10NSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
Artikelnummer
BSC079N10NSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13.4A (Ta), 100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5900pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 8988 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC079N10NSGATMA1
BSC079N10NSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSC079N10NSGATMA1 Försäljning
BSC079N10NSGATMA1 Leverantör
BSC079N10NSGATMA1 Distributör
BSC079N10NSGATMA1 Datatabell
BSC079N10NSGATMA1 Foton
BSC079N10NSGATMA1 Pris
BSC079N10NSGATMA1 Erbjudande
BSC079N10NSGATMA1 Lägsta pris
BSC079N10NSGATMA1 Sök
BSC079N10NSGATMA1 Köp av
BSC079N10NSGATMA1 Chip