BSC100N10NSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Artikelnummer
BSC100N10NSFGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
156W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.4A (Ta), 90A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
44nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25579 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC100N10NSFGATMA1
BSC100N10NSFGATMA1 Elektroniska komponenter
BSC100N10NSFGATMA1 Försäljning
BSC100N10NSFGATMA1 Leverantör
BSC100N10NSFGATMA1 Distributör
BSC100N10NSFGATMA1 Datatabell
BSC100N10NSFGATMA1 Foton
BSC100N10NSFGATMA1 Pris
BSC100N10NSFGATMA1 Erbjudande
BSC100N10NSFGATMA1 Lägsta pris
BSC100N10NSFGATMA1 Sök
BSC100N10NSFGATMA1 Köp av
BSC100N10NSFGATMA1 Chip