BSC119N03S G
MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
Artikelnummer
BSC119N03S G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.8W (Ta), 43W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.9A (Ta), 30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1370pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 29390 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC119N03S G
BSC119N03S G Elektroniska komponenter
BSC119N03S G Försäljning
BSC119N03S G Leverantör
BSC119N03S G Distributör
BSC119N03S G Datatabell
BSC119N03S G Foton
BSC119N03S G Pris
BSC119N03S G Erbjudande
BSC119N03S G Lägsta pris
BSC119N03S G Sök
BSC119N03S G Köp av
BSC119N03S G Chip