BSC123N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8
Artikelnummer
BSC123N10LSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
114W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10.6A (Ta), 71A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 72µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21972 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC123N10LSGATMA1
BSC123N10LSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSC123N10LSGATMA1 Försäljning
BSC123N10LSGATMA1 Leverantör
BSC123N10LSGATMA1 Distributör
BSC123N10LSGATMA1 Datatabell
BSC123N10LSGATMA1 Foton
BSC123N10LSGATMA1 Pris
BSC123N10LSGATMA1 Erbjudande
BSC123N10LSGATMA1 Lägsta pris
BSC123N10LSGATMA1 Sök
BSC123N10LSGATMA1 Köp av
BSC123N10LSGATMA1 Chip