BSC886N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 65A TDSON-8
Artikelnummer
BSC886N03LSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TDSON-8
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 39W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Ta), 65A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2100pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44251 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSC886N03LSGATMA1
BSC886N03LSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSC886N03LSGATMA1 Försäljning
BSC886N03LSGATMA1 Leverantör
BSC886N03LSGATMA1 Distributör
BSC886N03LSGATMA1 Datatabell
BSC886N03LSGATMA1 Foton
BSC886N03LSGATMA1 Pris
BSC886N03LSGATMA1 Erbjudande
BSC886N03LSGATMA1 Lägsta pris
BSC886N03LSGATMA1 Sök
BSC886N03LSGATMA1 Köp av
BSC886N03LSGATMA1 Chip