BSS225H6327FTSA1
MOSFET N-CH 600V 0.09A SOT-89
Artikelnummer
BSS225H6327FTSA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-243AA
Leverantörsenhetspaket
PG-SOT89
Effektförlust (max)
1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
45 Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5.8nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
131pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 30073 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSS225H6327FTSA1
BSS225H6327FTSA1 Elektroniska komponenter
BSS225H6327FTSA1 Försäljning
BSS225H6327FTSA1 Leverantör
BSS225H6327FTSA1 Distributör
BSS225H6327FTSA1 Datatabell
BSS225H6327FTSA1 Foton
BSS225H6327FTSA1 Pris
BSS225H6327FTSA1 Erbjudande
BSS225H6327FTSA1 Lägsta pris
BSS225H6327FTSA1 Sök
BSS225H6327FTSA1 Köp av
BSS225H6327FTSA1 Chip