BSZ0503NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 20A 8SON
Artikelnummer
BSZ0503NSIATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8-FL
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 36W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
20A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17807 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ0503NSIATMA1
BSZ0503NSIATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ0503NSIATMA1 Försäljning
BSZ0503NSIATMA1 Leverantör
BSZ0503NSIATMA1 Distributör
BSZ0503NSIATMA1 Datatabell
BSZ0503NSIATMA1 Foton
BSZ0503NSIATMA1 Pris
BSZ0503NSIATMA1 Erbjudande
BSZ0503NSIATMA1 Lägsta pris
BSZ0503NSIATMA1 Sök
BSZ0503NSIATMA1 Köp av
BSZ0503NSIATMA1 Chip