BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A TSDSON-8
Artikelnummer
BSZ060NE2LSATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8-FL
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
9.1nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
670pF @ 12V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45315 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ060NE2LSATMA1
BSZ060NE2LSATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ060NE2LSATMA1 Försäljning
BSZ060NE2LSATMA1 Leverantör
BSZ060NE2LSATMA1 Distributör
BSZ060NE2LSATMA1 Datatabell
BSZ060NE2LSATMA1 Foton
BSZ060NE2LSATMA1 Pris
BSZ060NE2LSATMA1 Erbjudande
BSZ060NE2LSATMA1 Lägsta pris
BSZ060NE2LSATMA1 Sök
BSZ060NE2LSATMA1 Köp av
BSZ060NE2LSATMA1 Chip