BSZ105N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8
Artikelnummer
BSZ105N04NSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 35W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Ta), 40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 14µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49780 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ105N04NSGATMA1
BSZ105N04NSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ105N04NSGATMA1 Försäljning
BSZ105N04NSGATMA1 Leverantör
BSZ105N04NSGATMA1 Distributör
BSZ105N04NSGATMA1 Datatabell
BSZ105N04NSGATMA1 Foton
BSZ105N04NSGATMA1 Pris
BSZ105N04NSGATMA1 Erbjudande
BSZ105N04NSGATMA1 Lägsta pris
BSZ105N04NSGATMA1 Sök
BSZ105N04NSGATMA1 Köp av
BSZ105N04NSGATMA1 Chip