Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
BSZ130N03LSGATMA1

BSZ130N03LSGATMA1

MOSFET N-CH 30V 35A TSDSON-8
Artikelnummer
BSZ130N03LSGATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
10A (Ta), 35A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
970pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34180 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av BSZ130N03LSGATMA1
BSZ130N03LSGATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ130N03LSGATMA1 Försäljning
BSZ130N03LSGATMA1 Leverantör
BSZ130N03LSGATMA1 Distributör
BSZ130N03LSGATMA1 Datatabell
BSZ130N03LSGATMA1 Foton
BSZ130N03LSGATMA1 Pris
BSZ130N03LSGATMA1 Erbjudande
BSZ130N03LSGATMA1 Lägsta pris
BSZ130N03LSGATMA1 Sök
BSZ130N03LSGATMA1 Köp av
BSZ130N03LSGATMA1 Chip