BSZ180P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Artikelnummer
BSZ180P03NS3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerTDFN
Leverantörsenhetspaket
PG-TSDSON-8
Effektförlust (max)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Ta), 39.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51145 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av BSZ180P03NS3GATMA1
BSZ180P03NS3GATMA1 Elektroniska komponenter
BSZ180P03NS3GATMA1 Försäljning
BSZ180P03NS3GATMA1 Leverantör
BSZ180P03NS3GATMA1 Distributör
BSZ180P03NS3GATMA1 Datatabell
BSZ180P03NS3GATMA1 Foton
BSZ180P03NS3GATMA1 Pris
BSZ180P03NS3GATMA1 Erbjudande
BSZ180P03NS3GATMA1 Lägsta pris
BSZ180P03NS3GATMA1 Sök
BSZ180P03NS3GATMA1 Köp av
BSZ180P03NS3GATMA1 Chip