IPB030N08N3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Artikelnummer
IPB030N08N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-7
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 155µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8110pF @ 40V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18931 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB030N08N3GATMA1
IPB030N08N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB030N08N3GATMA1 Försäljning
IPB030N08N3GATMA1 Leverantör
IPB030N08N3GATMA1 Distributör
IPB030N08N3GATMA1 Datatabell
IPB030N08N3GATMA1 Foton
IPB030N08N3GATMA1 Pris
IPB030N08N3GATMA1 Erbjudande
IPB030N08N3GATMA1 Lägsta pris
IPB030N08N3GATMA1 Sök
IPB030N08N3GATMA1 Köp av
IPB030N08N3GATMA1 Chip