IPB042N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
Artikelnummer
IPB042N10N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
8410pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 18078 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB042N10N3GATMA1
IPB042N10N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB042N10N3GATMA1 Försäljning
IPB042N10N3GATMA1 Leverantör
IPB042N10N3GATMA1 Distributör
IPB042N10N3GATMA1 Datatabell
IPB042N10N3GATMA1 Foton
IPB042N10N3GATMA1 Pris
IPB042N10N3GATMA1 Erbjudande
IPB042N10N3GATMA1 Lägsta pris
IPB042N10N3GATMA1 Sök
IPB042N10N3GATMA1 Köp av
IPB042N10N3GATMA1 Chip