IPB048N15N5LFATMA1
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Artikelnummer
IPB048N15N5LFATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™-5
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
313W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 255µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
84nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39012 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB048N15N5LFATMA1
IPB048N15N5LFATMA1 Elektroniska komponenter
IPB048N15N5LFATMA1 Försäljning
IPB048N15N5LFATMA1 Leverantör
IPB048N15N5LFATMA1 Distributör
IPB048N15N5LFATMA1 Datatabell
IPB048N15N5LFATMA1 Foton
IPB048N15N5LFATMA1 Pris
IPB048N15N5LFATMA1 Erbjudande
IPB048N15N5LFATMA1 Lägsta pris
IPB048N15N5LFATMA1 Sök
IPB048N15N5LFATMA1 Köp av
IPB048N15N5LFATMA1 Chip