IPB049NE7N3GATMA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Artikelnummer
IPB049NE7N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
150W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 91µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
68nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 37.5V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50330 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB049NE7N3GATMA1
IPB049NE7N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB049NE7N3GATMA1 Försäljning
IPB049NE7N3GATMA1 Leverantör
IPB049NE7N3GATMA1 Distributör
IPB049NE7N3GATMA1 Datatabell
IPB049NE7N3GATMA1 Foton
IPB049NE7N3GATMA1 Pris
IPB049NE7N3GATMA1 Erbjudande
IPB049NE7N3GATMA1 Lägsta pris
IPB049NE7N3GATMA1 Sök
IPB049NE7N3GATMA1 Köp av
IPB049NE7N3GATMA1 Chip