IPB04N03LA G
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
Artikelnummer
IPB04N03LA G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
107W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 60µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3877pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49849 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB04N03LA G
IPB04N03LA G Elektroniska komponenter
IPB04N03LA G Försäljning
IPB04N03LA G Leverantör
IPB04N03LA G Distributör
IPB04N03LA G Datatabell
IPB04N03LA G Foton
IPB04N03LA G Pris
IPB04N03LA G Erbjudande
IPB04N03LA G Lägsta pris
IPB04N03LA G Sök
IPB04N03LA G Köp av
IPB04N03LA G Chip