IPB05N03LB G
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Artikelnummer
IPB05N03LB G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
94W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 40µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3209pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36350 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB05N03LB G
IPB05N03LB G Elektroniska komponenter
IPB05N03LB G Försäljning
IPB05N03LB G Leverantör
IPB05N03LB G Distributör
IPB05N03LB G Datatabell
IPB05N03LB G Foton
IPB05N03LB G Pris
IPB05N03LB G Erbjudande
IPB05N03LB G Lägsta pris
IPB05N03LB G Sök
IPB05N03LB G Köp av
IPB05N03LB G Chip