IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Artikelnummer
IPB065N06L G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.2 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 180µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
157nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34804 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB065N06L G
IPB065N06L G Elektroniska komponenter
IPB065N06L G Försäljning
IPB065N06L G Leverantör
IPB065N06L G Distributör
IPB065N06L G Datatabell
IPB065N06L G Foton
IPB065N06L G Pris
IPB065N06L G Erbjudande
IPB065N06L G Lägsta pris
IPB065N06L G Sök
IPB065N06L G Köp av
IPB065N06L G Chip