Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPB073N15N5ATMA1

IPB073N15N5ATMA1

MV POWER MOS
Artikelnummer
IPB073N15N5ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™-5
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
214W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.3 mOhm @ 57A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 160µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
61nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 31351 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPB073N15N5ATMA1
IPB073N15N5ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB073N15N5ATMA1 Försäljning
IPB073N15N5ATMA1 Leverantör
IPB073N15N5ATMA1 Distributör
IPB073N15N5ATMA1 Datatabell
IPB073N15N5ATMA1 Foton
IPB073N15N5ATMA1 Pris
IPB073N15N5ATMA1 Erbjudande
IPB073N15N5ATMA1 Lägsta pris
IPB073N15N5ATMA1 Sök
IPB073N15N5ATMA1 Köp av
IPB073N15N5ATMA1 Chip