IPB100N08S207ATMA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
Artikelnummer
IPB100N08S207ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
300W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4700pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28081 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB100N08S207ATMA1
IPB100N08S207ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB100N08S207ATMA1 Försäljning
IPB100N08S207ATMA1 Leverantör
IPB100N08S207ATMA1 Distributör
IPB100N08S207ATMA1 Datatabell
IPB100N08S207ATMA1 Foton
IPB100N08S207ATMA1 Pris
IPB100N08S207ATMA1 Erbjudande
IPB100N08S207ATMA1 Lägsta pris
IPB100N08S207ATMA1 Sök
IPB100N08S207ATMA1 Köp av
IPB100N08S207ATMA1 Chip