IPB120N04S401ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Artikelnummer
IPB120N04S401ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
188W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
176nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
14000pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41304 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB120N04S401ATMA1
IPB120N04S401ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB120N04S401ATMA1 Försäljning
IPB120N04S401ATMA1 Leverantör
IPB120N04S401ATMA1 Distributör
IPB120N04S401ATMA1 Datatabell
IPB120N04S401ATMA1 Foton
IPB120N04S401ATMA1 Pris
IPB120N04S401ATMA1 Erbjudande
IPB120N04S401ATMA1 Lägsta pris
IPB120N04S401ATMA1 Sök
IPB120N04S401ATMA1 Köp av
IPB120N04S401ATMA1 Chip