IPB120N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3-2
Artikelnummer
IPB120N04S402ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
158W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 110µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
134nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10740pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33815 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB120N04S402ATMA1
IPB120N04S402ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB120N04S402ATMA1 Försäljning
IPB120N04S402ATMA1 Leverantör
IPB120N04S402ATMA1 Distributör
IPB120N04S402ATMA1 Datatabell
IPB120N04S402ATMA1 Foton
IPB120N04S402ATMA1 Pris
IPB120N04S402ATMA1 Erbjudande
IPB120N04S402ATMA1 Lägsta pris
IPB120N04S402ATMA1 Sök
IPB120N04S402ATMA1 Köp av
IPB120N04S402ATMA1 Chip