Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPB120N06S402ATMA2

IPB120N06S402ATMA2

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
Artikelnummer
IPB120N06S402ATMA2
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
188W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 140µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
15750pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 25367 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPB120N06S402ATMA2
IPB120N06S402ATMA2 Elektroniska komponenter
IPB120N06S402ATMA2 Försäljning
IPB120N06S402ATMA2 Leverantör
IPB120N06S402ATMA2 Distributör
IPB120N06S402ATMA2 Datatabell
IPB120N06S402ATMA2 Foton
IPB120N06S402ATMA2 Pris
IPB120N06S402ATMA2 Erbjudande
IPB120N06S402ATMA2 Lägsta pris
IPB120N06S402ATMA2 Sök
IPB120N06S402ATMA2 Köp av
IPB120N06S402ATMA2 Chip