IPB180N10S403ATMA1
MOSFET N-CH TO263-7
Artikelnummer
IPB180N10S403ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-7-3
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 180µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
10120pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 47042 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB180N10S403ATMA1
IPB180N10S403ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB180N10S403ATMA1 Försäljning
IPB180N10S403ATMA1 Leverantör
IPB180N10S403ATMA1 Distributör
IPB180N10S403ATMA1 Datatabell
IPB180N10S403ATMA1 Foton
IPB180N10S403ATMA1 Pris
IPB180N10S403ATMA1 Erbjudande
IPB180N10S403ATMA1 Lägsta pris
IPB180N10S403ATMA1 Sök
IPB180N10S403ATMA1 Köp av
IPB180N10S403ATMA1 Chip