IPB47N10S33ATMA1
MOSFET N-CH 100V 47A TO263-3
Artikelnummer
IPB47N10S33ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
SIPMOS®
Sektionsstatus
Not For New Designs
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
175W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
47A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14655 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB47N10S33ATMA1
IPB47N10S33ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB47N10S33ATMA1 Försäljning
IPB47N10S33ATMA1 Leverantör
IPB47N10S33ATMA1 Distributör
IPB47N10S33ATMA1 Datatabell
IPB47N10S33ATMA1 Foton
IPB47N10S33ATMA1 Pris
IPB47N10S33ATMA1 Erbjudande
IPB47N10S33ATMA1 Lägsta pris
IPB47N10S33ATMA1 Sök
IPB47N10S33ATMA1 Köp av
IPB47N10S33ATMA1 Chip