IPB530N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 21A TO263-3
Artikelnummer
IPB530N15N3GATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Discontinued at Digi-Key
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
68W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 35µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
887pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
8V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40981 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB530N15N3GATMA1
IPB530N15N3GATMA1 Elektroniska komponenter
IPB530N15N3GATMA1 Försäljning
IPB530N15N3GATMA1 Leverantör
IPB530N15N3GATMA1 Distributör
IPB530N15N3GATMA1 Datatabell
IPB530N15N3GATMA1 Foton
IPB530N15N3GATMA1 Pris
IPB530N15N3GATMA1 Erbjudande
IPB530N15N3GATMA1 Lägsta pris
IPB530N15N3GATMA1 Sök
IPB530N15N3GATMA1 Köp av
IPB530N15N3GATMA1 Chip