IPB60R299CPAATMA1
MOSFET N-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB60R299CPAATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3
Effektförlust (max)
96W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52574 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1 Elektroniska komponenter
IPB60R299CPAATMA1 Försäljning
IPB60R299CPAATMA1 Leverantör
IPB60R299CPAATMA1 Distributör
IPB60R299CPAATMA1 Datatabell
IPB60R299CPAATMA1 Foton
IPB60R299CPAATMA1 Pris
IPB60R299CPAATMA1 Erbjudande
IPB60R299CPAATMA1 Lägsta pris
IPB60R299CPAATMA1 Sök
IPB60R299CPAATMA1 Köp av
IPB60R299CPAATMA1 Chip