IPB65R600C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO263
Artikelnummer
IPB65R600C6ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
63W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 210µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12964 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB65R600C6ATMA1
IPB65R600C6ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB65R600C6ATMA1 Försäljning
IPB65R600C6ATMA1 Leverantör
IPB65R600C6ATMA1 Distributör
IPB65R600C6ATMA1 Datatabell
IPB65R600C6ATMA1 Foton
IPB65R600C6ATMA1 Pris
IPB65R600C6ATMA1 Erbjudande
IPB65R600C6ATMA1 Lägsta pris
IPB65R600C6ATMA1 Sök
IPB65R600C6ATMA1 Köp av
IPB65R600C6ATMA1 Chip