IPB65R660CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 6A TO263
Artikelnummer
IPB65R660CFDATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
CoolMOS™
Sektionsstatus
Last Time Buy
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263AB)
Effektförlust (max)
62.5W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
660 mOhm @ 2.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 200µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
615pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46405 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB65R660CFDATMA1
IPB65R660CFDATMA1 Elektroniska komponenter
IPB65R660CFDATMA1 Försäljning
IPB65R660CFDATMA1 Leverantör
IPB65R660CFDATMA1 Distributör
IPB65R660CFDATMA1 Datatabell
IPB65R660CFDATMA1 Foton
IPB65R660CFDATMA1 Pris
IPB65R660CFDATMA1 Erbjudande
IPB65R660CFDATMA1 Lägsta pris
IPB65R660CFDATMA1 Sök
IPB65R660CFDATMA1 Köp av
IPB65R660CFDATMA1 Chip