IPB80N06S3L-06
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
Artikelnummer
IPB80N06S3L-06
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.6 mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
196nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
9417pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50351 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPB80N06S3L-06
IPB80N06S3L-06 Elektroniska komponenter
IPB80N06S3L-06 Försäljning
IPB80N06S3L-06 Leverantör
IPB80N06S3L-06 Distributör
IPB80N06S3L-06 Datatabell
IPB80N06S3L-06 Foton
IPB80N06S3L-06 Pris
IPB80N06S3L-06 Erbjudande
IPB80N06S3L-06 Lägsta pris
IPB80N06S3L-06 Sök
IPB80N06S3L-06 Köp av
IPB80N06S3L-06 Chip