Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
IPB80P04P407ATMA1

IPB80P04P407ATMA1

MOSFET P-CH TO263-3
Artikelnummer
IPB80P04P407ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
PG-TO263-3-2
Effektförlust (max)
88W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
7.4 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
89nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6085pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 9886 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av IPB80P04P407ATMA1
IPB80P04P407ATMA1 Elektroniska komponenter
IPB80P04P407ATMA1 Försäljning
IPB80P04P407ATMA1 Leverantör
IPB80P04P407ATMA1 Distributör
IPB80P04P407ATMA1 Datatabell
IPB80P04P407ATMA1 Foton
IPB80P04P407ATMA1 Pris
IPB80P04P407ATMA1 Erbjudande
IPB80P04P407ATMA1 Lägsta pris
IPB80P04P407ATMA1 Sök
IPB80P04P407ATMA1 Köp av
IPB80P04P407ATMA1 Chip