IPD090N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252
Artikelnummer
IPD090N03LGBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
42W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 33049 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD090N03LGBTMA1
IPD090N03LGBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD090N03LGBTMA1 Försäljning
IPD090N03LGBTMA1 Leverantör
IPD090N03LGBTMA1 Distributör
IPD090N03LGBTMA1 Datatabell
IPD090N03LGBTMA1 Foton
IPD090N03LGBTMA1 Pris
IPD090N03LGBTMA1 Erbjudande
IPD090N03LGBTMA1 Lägsta pris
IPD090N03LGBTMA1 Sök
IPD090N03LGBTMA1 Köp av
IPD090N03LGBTMA1 Chip