IPD12N03LB G
MOSFET N-CH 30V 30A TO-252
Artikelnummer
IPD12N03LB G
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
52W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 20µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1300pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41768 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD12N03LB G
IPD12N03LB G Elektroniska komponenter
IPD12N03LB G Försäljning
IPD12N03LB G Leverantör
IPD12N03LB G Distributör
IPD12N03LB G Datatabell
IPD12N03LB G Foton
IPD12N03LB G Pris
IPD12N03LB G Erbjudande
IPD12N03LB G Lägsta pris
IPD12N03LB G Sök
IPD12N03LB G Köp av
IPD12N03LB G Chip