IPD26N06S2L35ATMA2
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD26N06S2L35ATMA2
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3-11
Effektförlust (max)
68W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 26µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
24nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
621pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35285 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD26N06S2L35ATMA2
IPD26N06S2L35ATMA2 Elektroniska komponenter
IPD26N06S2L35ATMA2 Försäljning
IPD26N06S2L35ATMA2 Leverantör
IPD26N06S2L35ATMA2 Distributör
IPD26N06S2L35ATMA2 Datatabell
IPD26N06S2L35ATMA2 Foton
IPD26N06S2L35ATMA2 Pris
IPD26N06S2L35ATMA2 Erbjudande
IPD26N06S2L35ATMA2 Lägsta pris
IPD26N06S2L35ATMA2 Sök
IPD26N06S2L35ATMA2 Köp av
IPD26N06S2L35ATMA2 Chip