IPD30N06S2L13ATMA4
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD30N06S2L13ATMA4
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3-11
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
55V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
69nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7661 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD30N06S2L13ATMA4
IPD30N06S2L13ATMA4 Elektroniska komponenter
IPD30N06S2L13ATMA4 Försäljning
IPD30N06S2L13ATMA4 Leverantör
IPD30N06S2L13ATMA4 Distributör
IPD30N06S2L13ATMA4 Datatabell
IPD30N06S2L13ATMA4 Foton
IPD30N06S2L13ATMA4 Pris
IPD30N06S2L13ATMA4 Erbjudande
IPD30N06S2L13ATMA4 Lägsta pris
IPD30N06S2L13ATMA4 Sök
IPD30N06S2L13ATMA4 Köp av
IPD30N06S2L13ATMA4 Chip