IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
Artikelnummer
IPD30N08S2L21ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
136W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
75V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20.5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
72nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11031 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD30N08S2L21ATMA1
IPD30N08S2L21ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD30N08S2L21ATMA1 Försäljning
IPD30N08S2L21ATMA1 Leverantör
IPD30N08S2L21ATMA1 Distributör
IPD30N08S2L21ATMA1 Datatabell
IPD30N08S2L21ATMA1 Foton
IPD30N08S2L21ATMA1 Pris
IPD30N08S2L21ATMA1 Erbjudande
IPD30N08S2L21ATMA1 Lägsta pris
IPD30N08S2L21ATMA1 Sök
IPD30N08S2L21ATMA1 Köp av
IPD30N08S2L21ATMA1 Chip