IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A DPAK
Artikelnummer
IPD350N06LGBTMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3
Effektförlust (max)
68W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 28µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
800pF @ 30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 34650 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1 Elektroniska komponenter
IPD350N06LGBTMA1 Försäljning
IPD350N06LGBTMA1 Leverantör
IPD350N06LGBTMA1 Distributör
IPD350N06LGBTMA1 Datatabell
IPD350N06LGBTMA1 Foton
IPD350N06LGBTMA1 Pris
IPD350N06LGBTMA1 Erbjudande
IPD350N06LGBTMA1 Lägsta pris
IPD350N06LGBTMA1 Sök
IPD350N06LGBTMA1 Köp av
IPD350N06LGBTMA1 Chip