IPD50N04S410ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Artikelnummer
IPD50N04S410ATMA1
Tillverkare/varumärke
Serier
OptiMOS™
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Leverantörsenhetspaket
PG-TO252-3-313
Effektförlust (max)
41W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 15µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18.2nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1430pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21860 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av IPD50N04S410ATMA1
IPD50N04S410ATMA1 Elektroniska komponenter
IPD50N04S410ATMA1 Försäljning
IPD50N04S410ATMA1 Leverantör
IPD50N04S410ATMA1 Distributör
IPD50N04S410ATMA1 Datatabell
IPD50N04S410ATMA1 Foton
IPD50N04S410ATMA1 Pris
IPD50N04S410ATMA1 Erbjudande
IPD50N04S410ATMA1 Lägsta pris
IPD50N04S410ATMA1 Sök
IPD50N04S410ATMA1 Köp av
IPD50N04S410ATMA1 Chip